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Typical Electrical Characteristics (continued)
1.08
25
J
1.06
1.04
I D = -250μA
10
1
V
GS
= 0V
T = 125°C
25°C
-55°C
1.02
0.1
1
0.01
0.98
0.96
0.001
0.94
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
5500
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 7. Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and
Temperature.
5
4000
C iss
4
I D = -6.5A
V DS = -5.0V
-15V
2000
1000
800
500
C oss
3
2
-10V
300
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
1
200
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0
0
10
20
30
40
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
-V DD
t on
t off
V IN
R L
t d(on)
t r
90%
t d(off)
90%
t f
V GS
R GEN
G
D
DUT
V OUT
V OUT
10%
10%
90%
S
V IN
50%
50%
10%
PULSE W IDTH
INVERTED
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
NDS8434 Rev. A3
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